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电子器件的电离辐射效应: 从存储器到图像传感器
:(意) Marta Bagatin, Simone Gerardin, 毕津顺 ...
作者：
(意) Marta Bagatin, Simone Gerardin, 毕津顺 ...
出版社：
电子工业出版社
出版时间：
2022
ISBN：
978-7-121-44206-3
索书号：
TN6/8
分类号：
TN6
页数：
20, 299页
价格：
119.00
复本数：
在馆数：
累借天数：
累借次数：
本书完整地涵盖了先进半导体的电离辐射效应, 深入探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容: 商用数字集成电路的辐射效应, 包括微处理器、易失性存储器 (SRAM和DRAM) 和快闪存储器, 数字电路、现场可编程门阵列 (FPGA) 和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案 ; 纤维光学和成像器件 (包括CMs图像传感器和电荷耦合器件CCD) 的辐射效应。
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